职位描述
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职责描述:
1. 负责GaAs基和InP基半导体材料的MOCVD外延生长及扩散;
2. 负责测量和校准外延生长参数、编写MOCVD材料生长程序;
3. 根据性能要求设计材料结构和研发外延生长、扩散工艺;
4. 负责外延团队的管理与指导;
5 .领导安排的其他工作;
任职要求:
1. 硕士及以上学历,物理、化学、电子等相关专业
2. 掌握外延生长基本原理和MOCVD设备的工作机理
3. 有生长InP或GaAs薄膜生长及超晶格生长等五年以上工作经验,有MBE生长经验的优先考虑
4. 熟悉外延设备的基本知识
5. 具备良好的团队合作精神,能适应一定强度的工作压力
工作地点
地址:武汉洪山区武汉武汉光谷航天三江激光产业园1期
求职提示:用人单位发布虚假招聘信息,或以任何名义向求职者收取财物(如体检费、置装费、押金、服装费、培训费、身份证、毕业证等),均涉嫌违法,请求职者务必提高警惕。
职位发布者
HR
武汉光谷量子技术有限公司
- 电子技术·半导体·集成电路
- 51-99人
- 公司性质未知
- 高新大道999号未来科技城c1-901
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